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三极管有三个区域，发射区和集电区是同一个类型，而中间的基区是另外一个类型。发射区发射电荷，集电区收集电荷，基区用于控制发射和收集电荷的数量，即电流大小。以NPN为例，发射区的电荷（自由电子）要想到达集电区，需要穿过两个PN结：发射结和集电结。在发射区，自由电子是多子，所以需要在发射结上加正偏电压，让PN结消失，作为多子扩散到基区。到达基区后，极少部分电子通过与基区空穴复合形成电流，从基极流出（电流方向是从基极流入），但基区空穴极少，故大部分电荷没有复合的机会，堆积在集电结附近。基区自由电子称为少子（但是***数量较多，基区本身的自由电子+从发射区扩散来的自由电子），需要在集电结反偏时，作为少子漂移过集电结到达集电区。所以三极管工作时需要在发射结加正偏电压，而集电结加反偏电压。发射结正偏电压的大小决定了从发射区扩散到基区的电荷数目，也间接决定了将来从基极和集电极流出的电子数目，极电流的大小。集电结反偏电压的大小也决定了从基区吸引过来的电子的数目多少。所以集电极电流IC是由发射结电压和集电结电压共同作用的结果从稳压二极管的伏安特性曲线能够看出，它的正向特性与普通二极管是一致的，反向特性。深圳MOS二极管
三极管是一种控制元件，三极管的作用非常的大，可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化，电子管是他的前身，但是电子管体积大耗电量巨大，现在已经被淘汰。三极管主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大。反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化深圳二极管晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件。信赖之选深圳市凯轩业电子科技有限公司。
从稳压二极管的伏安特性曲线能够看出，它的正向特性与普通二极管是一致的，反向特性，当低于它的击穿电压时，也与普通二极管的特性相类似，处于截止，但是当超过击穿电压时电流会迅速变化，但是电压会保持在一个很小的区间范围内。基本的二极管稳压电路，就是通过与负载反向并联，保持工作电压稳定的。稳压二极管的使用稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的，如果输入的电压没有超过其稳压值，它是不导通的，如果超过它的稳压值，它会击穿导通。一般来讲，输入的电压都是超过其稳压值的，在实际使用时，就需要通过电阻与其串联，去承担高于稳压值的这部分电压。
利用TVS的钳位特性，将8kV危险浪涌电压削减到10V的安全电压。需要注意的是，以上电路应满足Rggt;RSRLoadgt;RS这一条件。TVS在TN电源系统的应用雷电过电压波、负载开关等人为操作错误引起的过电压容易通过供电线路侵入电气电子设备内部，造成电气电子设备失效、误动作，甚至造成设备的损坏，造成严重经济损失。稳定电流IZ指管子在正常工作时的参考电流值，其值在稳压区域的大电流IZmax与小电流IZmin之间。通过在电源线路上安装浪涌吸收装置MOV和TVS,实施两级保护，并对L、N线进行共模、差模保护。具体做法是在线路的前端安装MOV作为弟1级SPD保护，泄放大部分雷电流，在线路的末端（设备前端）安装大功率TVS作为弟二级SPD保护，进一步削弱过电压波幅值，将电网电压降至E/I安全耐压范围之内，如图3所示。要注意的是，MOV与TVS应达到电压和能量的协调与配合，AB之间的线路长度不应小于5m,否则应增加线路长度或安装退耦器件肖特基二极管SBD(SchottkyBarrierDiode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
TVS1.5KE100A反向电压电流曲线1N5404是一款中级功率整流二极管，正向平均电流3A，反向耐压400V。下面是它的反向电压电流曲线：1N5404整流二极管反向电压电流曲线肖特基二极管前向导通电压比较低，用于整流可以提高整流效率。反向耐压比硅二极管低。1N5817是一款整流肖特二极管，数据手册给定的反向耐压为20V。下面是它的反向耐压电流曲线。当电压接近60V时反相电流急剧上升，随着电流增加，反向电压反而下降，呈现明显的复阻抗特性。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。深圳二极管
静电感应晶体管SIT诞生于1970年，实际上是一种结型场效应晶体管。深圳MOS二极管
肖特基二极管的检测二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为Ω，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。变阻二极管的检测用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。深圳MOS二极管
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