[VIP第1年] 指数:3
VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF（AV）---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---比较大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VRM---反向峰值电压（比较高测试电压）V（BR）---击穿电压Vth---阀电压（门限电压、死区电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压的场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。深圳晶体管代理销售价格
RF（r）---正向微分电阻.在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r；δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---比较高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△.深圳电路图晶体管三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。
半导体三极管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分常见。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得比较普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个单独的元件。半导体三极管是电路中应用比较常见的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。
ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---比较大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流Ⅳ---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。晶体管作为一种可变电流开关。信赖之选深圳市凯轩业电子科技。
常见晶体三极管特性曲线2-18图所示：图2-18晶体三极管特性曲线3、晶体三极管共发射极放大原理如下图所示：A、vt是一个npn型三极管，起放大作用。B、ecc集电极回路电源（集电结反偏）为输出信号提供能量。C、rc是集电极直流负载电阻，可以把电流的变化量转化成电压的变化量反映在输出端。D、基极电源ebb和基极电阻rb，一方面为发射结提供正向偏置电压，同时也决定了基极电流ib.图2-19共射极基本放大电路E、cl、c2作用是隔直流通交流偶合电容。F、rl是交流负载等效电阻。凡采用所谓平面工艺来制作的晶体管，都称为平面晶体管。深圳晶体管出厂价格
而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。深圳晶体管代理销售价格
在正向活动模式下，NPN晶体管处于偏置状态.通过直流电源Vbb，基极到发射极的结点将被正向偏置.因此，在该结的耗尽区将减少.集电极至基极结被反向偏置，集电极至基极结的耗尽区将增加.多数电荷载流子是n型发射极的电子.基极发射极结正向偏置，因此电子向基极区域移动.因此，这会导致发射极电流Ie.基极区很薄，被空穴轻掺杂，形成了电子-空穴的结合，一些电子保留在基极区中.这会导致基本电流Ib非常小.基极集电极结被反向偏置到基极区域中的空穴和电子，而正偏向基极区域中的电子.集电极端子吸引的基极区域的剩余电子引起集电极电流Ic.在此处查看有关NPN晶体管的更多信息深圳晶体管代理销售价格
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